GaAs Wafer Anwendungen

Unsere Lieferkette beginnt bei den Rohstoffen Gallium und Arsen, den Hauptbestandteilen der bei Freiberger gefertigten halbleitenden und halbisolierenden GaAs Wafer. Diese Wafer werden an Epi-Häuser geliefert, wo sie einen Epitaxie-Prozess durchlaufen, in dem ternäre III-V Verbundschichten (Al/Ga/In/As/P/N) ausgebildet werden. Im nächsten Schritt folgt bei einem Bauelemente-Hersteller unter Anwendung mikroelektronischer Technologien die Herstellung von Hochfrequenz-Bauelementen (HBTs, HEMTs, BiFETs) oder optoelektronischen Bauelementen (LEDs, Laser, VCSELs, Solarzellen). Am Ende der Lieferkette setzen Originalgerätehersteller (OEM) diese Bauelemente für ihren vorgesehenen Verwendungszweck ein, wie Mobiltelefone, WIFI, Radarsysteme, Kfz-Elektronik, Verkehrsleitsysteme, TV und PV-Systeme.

Drahtlose Kommunikation

GaAs-basierte Halbleitermaterialien behaupten ihre Vormachtstellung als Basiswerkstoff für drahtlose und Hochgeschwindigkeitsanwendungen wie z. B. Leistungsverstärker und Schalter für Mobiltelefone, Smart- und Feature Phones, WLAN-fähige Geräte und die dazu gehörige Infrastruktur.

Sie werden für drahtlose Breitband- und Wi-Fi-Funktionen in PCs, Notebooks und Tablets, für Kabel-TV, direkte Rundfunksatelliten, Nachrichten- und Datennetze, Facebook und Cloud eingesetzt.

Handys neuerer Generation haben immer mehr Features und Funktionen – da ist Qualität sehr wichtig. Das Qualitätsbewusstsein steht bei den Mitarbeitern von FCM immer im Vordergrund.

Axel Porstmann, Schichtleiter Endreinigung

Optoelektronik

Aufgrund seiner durchgehenden Bandlücke kann GaAs in einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente eingesetzt werden (Laser, LEDs, Solarzellen). Freiberger produziert n- und p-leitende Wafer mit Durchmessern von 3“ bis 8". Da in den meisten Segmenten des Optoelektronik-Marktes das Kostenbewusstsein sehr ausgeprägt ist, sind wir bestrebt unsere Kunden auf größere Durchmesser zu orientieren, um die Herstellungskosten zu senken.

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