Spezifikationen für 200 mm Durchmesser GaAs Wafer
Leitfähigkeit, Dotierung und Wachstumsverfahren
Die 200 mm GaAs Wafer sind in verschiedenen Konfigurationen erhältlich, basierend auf ihrer Dotierung, Ätzgrubendichte und Anwendungsmöglichkeiten.
-
Wafer mit SI (n-type) Leitfähigkeit und UN/C Dotierung:
- Ätzgrubendichte: ≤12,000
- Wachstumsmethode: VGF
- Dicke:
675
- Flat/Notch:
Notch
- Polish:
double
- Anwendungen:
HBT, pHEMT, Solar
Spezifikationen für 150 mm Durchmesser GaAs Wafer
Leitfähigkeit, Dotierung und Wachstumsverfahren
Die 150 mm GaAs Wafer sind in verschiedenen Konfigurationen erhältlich, basierend auf ihrer Dotierung, Ätzgrubendichte und Anwendungsmöglichkeiten.
-
Wafer mit SI (n-type) Leitfähigkeit und UN/C Dotierung:
- Ätzgrubendichte: ≤10,000
- Wachstumsmethode: VGF
- Dicke:
675
- Flat/Notch:
Notch
- Polish:
double
- Anwendungen:
HBT, pHEMT, Solar
-
Wafer mit SC (n-type) Leitfähigkeit und Si Dotierung:
- Ätzgrubendichte: ≤3,000
- Wachstumsmethode: VGF
- Dicke:
675
- Flat/Notch:
Flat, Notch
- Polish:
double
- Anwendungen:
LED, HBLED, Solar
-
Wafer mit SC (n-type) Leitfähigkeit und Si Dotierung:
- Ätzgrubendichte: ≤50
- Wachstumsmethode: VGF
- Dicke:
675
- Flat/Notch:
Flat, Notch
- Polish:
double
- Anwendungen:
LASER
-
Wafer mit SC (p-type) Leitfähigkeit und Zn Dotierung:
- Ätzgrubendichte: ≤5,000
- Wachstumsmethode: VGF
- Dicke:
- Flat/Notch:
Flat, Notch
- Polish:
double
- Anwendungen:
LED, HBLED, Solar
Spezifikationen für 100 mm Durchmesser GaAs Wafer
Leitfähigkeit, Dotierung und Wachstumsverfahren
Die 100 mm GaAs Wafer sind in verschiedenen Konfigurationen erhältlich, basierend auf ihrer Dotierung, Ätzgrubendichte und Anwendungsmöglichkeiten.
-
Wafer mit SI (n-type) Leitfähigkeit und UN/C Dotierung:
- Ätzgrubendichte: ≤7,500
- Wachstumsmethode: VGF
- Dicke:
625
- Flat/Notch:
Flat
- Polish:
double
- Anwendungen:
HBT, pHEMT
-
Wafer mit SI (n-type) Leitfähigkeit und UN/C Dotierung:
- Ätzgrubendichte: ≤100,000
- Wachstumsmethode: LEC
- Dicke:
625
- Flat/Notch:
Flat
- Polish:
double
- Anwendungen:
pHEMT, MESFET
-
Wafer mit SC (n-type) Leitfähigkeit und Si Dotierung:
- Ätzgrubendichte: ≤3,000
- Wachstumsmethode: VGF
- Dicke:
625, 450
- Flat/Notch:
Flat
- Polish:
single, double
- Anwendungen:
LED, HBLED, Detector
-
Wafer mit SC (n-type) Leitfähigkeit und Si Dotierung:
- Ätzgrubendichte: ≤100
- Wachstumsmethode: VGF
- Dicke:
625, 450
- Flat/Notch:
Flat
- Polish:
single, double
- Anwendungen:
LASER
-
Wafer mit SC (n-type) Leitfähigkeit und Te Dotierung:
- Ätzgrubendichte: ≤100,000
- Wachstumsmethode: LEC
- Dicke:
450
- Flat/Notch:
Flat
- Polish:
single
- Anwendungen:
LED
-
Wafer mit SC (p-type) Leitfähigkeit und Zn Dotierung:
- Ätzgrubendichte: ≤3,000
- Wachstumsmethode: VGF
- Dicke:
625, 450
- Flat/Notch:
Flat
- Polish:
single, double
- Anwendungen:
LED, HBLED, Detector, Solar
Spezifikationen für 3 mm Durchmesser GaAs Wafer
Leitfähigkeit, Dotierung und Wachstumsverfahren
Die 3 mm GaAs Wafer sind in verschiedenen Konfigurationen erhältlich, basierend auf ihrer Dotierung, Ätzgrubendichte und Anwendungsmöglichkeiten.
-
Wafer mit SI (n-type) Leitfähigkeit und UN/C Dotierung:
- Ätzgrubendichte: ≤7,500
- Wachstumsmethode: VGF
- Dicke:
625
- Flat/Notch:
Flat
- Polish:
double
- Anwendungen:
-
Wafer mit SI (n-type) Leitfähigkeit und UN/C Dotierung:
- Ätzgrubendichte: ≤70,000
- Wachstumsmethode: LEC
- Dicke:
625
- Flat/Notch:
Flat
- Polish:
double
- Anwendungen:
HBT, pHEMT
-
Wafer mit SC (n-type) Leitfähigkeit und Si Dotierung:
- Ätzgrubendichte: ≤1,000
- Wachstumsmethode: VGF
- Dicke:
625, 450
- Flat/Notch:
Flat
- Polish:
single, double
- Anwendungen:
LED, HBLED, LASER, Detector
-
Wafer mit SC (n-type) Leitfähigkeit und Si Dotierung:
- Ätzgrubendichte: ≤100
- Wachstumsmethode: VGF
- Dicke:
625, 450
- Flat/Notch:
Flat
- Polish:
single, double
- Anwendungen:
LASER
-
Wafer mit SC (n-type) Leitfähigkeit und Te Dotierung:
- Ätzgrubendichte: ≤70,000
- Wachstumsmethode: LEC
- Dicke:
450
- Flat/Notch:
Flat
- Polish:
single
- Anwendungen:
LED
Standardmaße und Toleranzen für 150 mm mm GaAs-Wafer
Die mechanischen Spezifikationen der Wafer sind wie folgt:
- Diameter: 150 mm, Tolerance: +/- 0.5 mm
- Dicke, Zentrum: VGF (Vertical Gradient Freeze): , Tolerance:
- Option A: 675 µm, Tolerance: +/- 25 µm
- Option B: 550 µm, Tolerance: +/- 25 µm
- Notch Orientation: [010] degrees, Tolerance: +/- 2 degrees
- Notch Depth: 1 mm, Tolerance: +0.25/-0.0 mm
Standardmaße und Toleranzen für 100 mm mm GaAs-Wafer
Die mechanischen Spezifikationen der Wafer sind wie folgt:
- Diameter: 100 mm, Tolerance: +/- 0.5 mm
- Dicke, Zentrum: VGF (Vertical Gradient Freeze): 675 µm, Tolerance: +/- 25 µm
- Primary Flat Lenght: 32.5 mm, Tolerance: +/- 2 mm
- Secondary Flat Lenght: 18 mm, Tolerance: +/- 2 mm
Standardmaße und Toleranzen für 200 mm mm GaAs-Wafer
Die mechanischen Spezifikationen der Wafer sind wie folgt:
- Diameter: 200 mm, Tolerance: +/- 0.5 mm
- Dicke, Zentrum: VGF (Vertical Gradient Freeze): 675 µm, Tolerance: +/- 25 µm
- Notch Orientation: [010] degrees, Tolerance: +/- 2 degrees
- Notch Depth: 1 mm, Tolerance: +0.25/-0.0 mm
Standardmaße und Toleranzen für 3" mm GaAs-Wafer
Die mechanischen Spezifikationen der Wafer sind wie folgt:
- Diameter: 76.2 mm, Tolerance: +/- 0.5 mm
- Dicke, Zentrum: VGF (Vertical Gradient Freeze): 625 µm, Tolerance: +/- 25 µm
- Primary Flat Lenght: 22 mm, Tolerance: +/- 2 mm
- Secondary Flat Lenght: 11 mm, Tolerance: +/- 2 mm