GaN Wafer Spezifikationen

Tabellarische Ansicht der Spezifikationen

Spezifikationen für 2 mm Durchmesser GaN Wafer

Leitfähigkeit, Dotierung und Wachstumsverfahren

Die 2 mm GaN Wafer sind in verschiedenen Konfigurationen erhältlich, basierend auf ihrer Dotierung, Ätzgrubendichte und Anwendungsmöglichkeiten.

  1. Wafer mit SC (n-type) Leitfähigkeit und Si/Ge Dotierung:

    • Ätzgrubendichte: ≤ 5E6
    • Wachstumsmethode: HVPE
    • Dicke: 400
    • Flat/Notch: Flat
    • Polish: single
    • Anwendungen: MESFET, LASER

  2. Wafer mit SI (n-type) Leitfähigkeit und Mn Dotierung:

    • Ätzgrubendichte: ≤ 5E6
    • Wachstumsmethode: HVPE
    • Dicke: 400
    • Flat/Notch: Flat
    • Polish: single
    • Anwendungen: HBT

Standard Dimensions and Tolerances for 2" Diameter GaN Wafers

Die mechanischen Spezifikationen der Wafer sind wie folgt:

  • Diameter: 50.8 mm, Tolerance: +/- 0.3 mm
  • Dicke, Zentrum: VGF (Vertical Gradient Freeze): 400 µm, Tolerance: +/- 25 µm
  • Primary Flat Length: 15.8 mm, Tolerance: +/- 1 mm
  • Secondary Flat Length: 8.0 mm, Tolerance: +/- 1 mm
  • Surface orientation*: (0001) deg, Tolerance: +/- 0.25 deg
  • Bow, Warp: <30 µm, Tolerance: µm
  • Total thickness variation: <20 µm, Tolerance: µm
  • FWHM (0002, 3mm slit): <50 arcsec, Tolerance: arcsec