InP Wafer Spezifikationen

Tabellarische Ansicht der Spezifikationen
Filter by diameter

Spezifikationen für 100 mm Durchmesser InP Wafer

Leitfähigkeit, Dotierung und Wachstumsverfahren

Die 100 mm InP Wafer sind in verschiedenen Konfigurationen erhältlich, basierend auf ihrer Dotierung, Ätzgrubendichte und Anwendungsmöglichkeiten.

  1. Wafer mit SI (n-type) Leitfähigkeit und Fe Dotierung:

    • Ätzgrubendichte: ≤5000
    • Wachstumsmethode: VGF
    • Dicke: 625
    • Flat/Notch: Flat
    • Polish: single, double
    • Anwendungen: HBT, Detector, Solar
  2. Wafer mit SC (n-type) Leitfähigkeit und S Dotierung:

    • Ätzgrubendichte: ≤500
    • Wachstumsmethode: VGF
    • Dicke: 625
    • Flat/Notch: Flat
    • Polish: single, double
    • Anwendungen: LED, LASER, Detector
  3. Wafer mit SC (n-type) Leitfähigkeit und S Dotierung:

    • Ätzgrubendichte: ≤50
    • Wachstumsmethode: VGF
    • Dicke: 625
    • Flat/Notch: Flat
    • Polish: single, double
    • Anwendungen: LASER, Detector

Spezifikationen für 3 mm Durchmesser InP Wafer

Leitfähigkeit, Dotierung und Wachstumsverfahren

Die 3 mm InP Wafer sind in verschiedenen Konfigurationen erhältlich, basierend auf ihrer Dotierung, Ätzgrubendichte und Anwendungsmöglichkeiten.

  1. Wafer mit SI (n-type) Leitfähigkeit und Fe Dotierung:

    • Ätzgrubendichte: ≤5000
    • Wachstumsmethode: VGF
    • Dicke: 625
    • Flat/Notch: Flat
    • Polish: single, double
    • Anwendungen: HBT, Detector, Solar
  2. Wafer mit SC (n-type) Leitfähigkeit und S Dotierung:

    • Ätzgrubendichte: ≤500
    • Wachstumsmethode: VGF
    • Dicke: 625
    • Flat/Notch: Flat
    • Polish: single, double
    • Anwendungen: LASER, Detector
  3. Wafer mit SC (n-type) Leitfähigkeit und S Dotierung:

    • Ätzgrubendichte: ≤50
    • Wachstumsmethode: VGF
    • Dicke: 625
    • Flat/Notch: Flat
    • Polish: single, double
    • Anwendungen: LASER, Detector

Standard Dimensions and Tolerances for 100 mm Diameter InP Wafers

Die mechanischen Spezifikationen der Wafer sind wie folgt:

  • Diameter: 100 mm, Tolerance: +/- 0.5 mm
  • Dicke, Zentrum: VGF (Vertical Gradient Freeze): 625 µm, Tolerance: +/- 25 µm
  • Primary Flat Length: 32.5 mm, Tolerance: +/- 2 mm
  • Secondary Flat Length: 18 mm, Tolerance: +/- 2 mm
  • Flat orientation (standard): US/EJ deg, Tolerance: +/- 0.5 deg
  • Flat orientation (high precision): US/EJ deg, Tolerance: +/- 0.02 deg
  • Surface orientation (standard): (100)* deg, Tolerance: +/- 0.3 deg
  • Surface orientation (high precision): (100)* deg, Tolerance: +/- 0.05 deg

Standard Dimensions and Tolerances for 3" Diameter InP Wafers

Die mechanischen Spezifikationen der Wafer sind wie folgt:

  • Diameter: 76.2 mm, Tolerance: +/- 0.5 mm
  • Dicke, Zentrum: VGF (Vertical Gradient Freeze): 625 µm, Tolerance: +/- 25 µm
  • Primary Flat Length: 22 mm, Tolerance: +/- 2 mm
  • Secondary Flat Length: 11 mm, Tolerance: +/- 2 mm
  • Flat orientation (standard): US/EJ deg, Tolerance: +/- 0.5 deg
  • Flat orientation (high precision): US/EJ deg, Tolerance: +/- 0.02 deg
  • Surface orientation (standard): (100)* deg, Tolerance: +/- 0.3 deg
  • Surface orientation (high precision): (100)* deg, Tolerance: +/- 0.05 deg