| Durchmesser (mm) |
Leitfähigkeits |
Dotierung |
Ätzgrubendichte |
Wachstumsmethode |
Daten |
| Durchmesser (mm) |
Leitfähigkeits |
| 200 |
SI (n-type) |
Dotierung
UN/C
|
Ätzgrubendichte
≤12,000
|
Wachstumsmethode
VGF
|
|
| Durchmesser (mm) |
Leitfähigkeits |
| 150 |
SI (n-type) |
Dotierung
UN/C
|
Ätzgrubendichte
≤10,000
|
Wachstumsmethode
VGF
|
|
| Durchmesser (mm) |
Leitfähigkeits |
| 150 |
SC (n-type) |
Dotierung
Si
|
Ätzgrubendichte
≤3,000
|
Wachstumsmethode
VGF
|
|
| Durchmesser (mm) |
Leitfähigkeits |
| 150 |
SC (n-type) |
Dotierung
Si
|
Ätzgrubendichte
≤50
|
Wachstumsmethode
VGF
|
|
| Durchmesser (mm) |
Leitfähigkeits |
| 150 |
SC (p-type) |
Dotierung
Zn
|
Ätzgrubendichte
≤5,000
|
Wachstumsmethode
VGF
|
|
| Durchmesser (mm) |
Leitfähigkeits |
| 100 |
SI (n-type) |
Dotierung
UN/C
|
Ätzgrubendichte
≤7,500
|
Wachstumsmethode
VGF
|
|
| Durchmesser (mm) |
Leitfähigkeits |
| 100 |
SI (n-type) |
Dotierung
UN/C
|
Ätzgrubendichte
≤100,000
|
Wachstumsmethode
LEC
|
|
| Durchmesser (mm) |
Leitfähigkeits |
| 100 |
SC (n-type) |
Dotierung
Si
|
Ätzgrubendichte
≤3,000
|
Wachstumsmethode
VGF
|
|
| Durchmesser (mm) |
Leitfähigkeits |
| 100 |
SC (n-type) |
Dotierung
Si
|
Ätzgrubendichte
≤100
|
Wachstumsmethode
VGF
|
|
| Durchmesser (mm) |
Leitfähigkeits |
| 100 |
SC (n-type) |
Dotierung
Te
|
Ätzgrubendichte
≤100,000
|
Wachstumsmethode
LEC
|
|
| Durchmesser (mm) |
Leitfähigkeits |
| 100 |
SC (p-type) |
Dotierung
Zn
|
Ätzgrubendichte
≤3,000
|
Wachstumsmethode
VGF
|
|
| Durchmesser (mm) |
Leitfähigkeits |
| 3" |
SI (n-type) |
Dotierung
UN/C
|
Ätzgrubendichte
≤7,500
|
Wachstumsmethode
VGF
|
|
| Durchmesser (mm) |
Leitfähigkeits |
| 3" |
SI (n-type) |
Dotierung
UN/C
|
Ätzgrubendichte
≤70,000
|
Wachstumsmethode
LEC
|
|
| Durchmesser (mm) |
Leitfähigkeits |
| 3" |
SC (n-type) |
Dotierung
Si
|
Ätzgrubendichte
≤1,000
|
Wachstumsmethode
VGF
|
|
| Durchmesser (mm) |
Leitfähigkeits |
| 3" |
SC (n-type) |
Dotierung
Si
|
Ätzgrubendichte
≤100
|
Wachstumsmethode
VGF
|
|
| Durchmesser (mm) |
Leitfähigkeits |
| 3" |
SC (n-type) |
Dotierung
Te
|
Ätzgrubendichte
≤70,000
|
Wachstumsmethode
LEC
|
|
Standardmaße und Toleranzen für 150 mm mm GaAs Wafer
| Property |
Dimension |
Tolerance |
Units |
| Diameter |
150 |
+/- 0.5 |
mm |
| Thickness, Center Point |
|
|
|
| Option A |
675 |
+/- 25 |
µm |
| Option B |
550 |
+/- 25 |
µm |
| Notch Orientation |
[010] |
+/- 2 |
degrees |
| Notch Depth |
1 |
+0.25/-0.0 |
mm |
Standardmaße und Toleranzen für 100 mm mm GaAs Wafer
| Property |
Dimension |
Tolerance |
Units |
|---|
| Diameter |
100 |
+/- 0.5 |
mm |
| Thickness, Center Point |
675 |
+/- 25 |
µm |
| Primary Flat Lenght |
32.5 |
+/- 2 |
mm |
| Secondary Flat Lenght |
18 |
+/- 2 |
mm |
Standardmaße und Toleranzen für 200 mm mm GaAs Wafer
| Property |
Dimension |
Tolerance |
Units |
|---|
| Diameter |
200 |
+/- 0.5 |
mm |
| Thickness, Center Point |
675 |
+/- 25 |
µm |
| Notch Orientation |
[010] |
+/- 2 |
degrees |
| Notch Depth |
1 |
+0.25/-0.0 |
mm |
Standardmaße und Toleranzen für 3" mm GaAs Wafer
| Property |
Dimension |
Tolerance |
Units |
|---|
| Diameter |
76.2 |
+/- 0.5 |
mm |
| Thickness, Center Point |
625 |
+/- 25 |
µm |
| Primary Flat Lenght |
22 |
+/- 2 |
mm |
| Secondary Flat Lenght |
11 |
+/- 2 |
mm |